#1 |
数量:3880 |
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最小起订量:10 英国伦敦 当天发货,5-8个工作日送达. |
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#2 |
数量:4880 |
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最小起订量:10 英国伦敦 当天发货,5-8个工作日送达. |
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#3 |
数量:4006 |
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最小起订量:1 美国加州 当天发货,1-3个工作日送达. |
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规格书 |
NTMS10P02R2 |
文档 |
Multiple Devices Copper Wire 20/Aug/2008 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
产品更改通知 | Wire Change 20/Aug/2008 |
标准包装 | 2,500 |
FET 型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 20V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 8.8A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 14 mOhm @ 10A, 4.5V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 1.2V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 70nC @ 4.5V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 3640pF @ 16V |
功率 - 最大 | 1.6W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
供应商器件封装 | 8-SOICN |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
associated | 80-4-5 |
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