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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

NTMS10P02R2G 

产品描述

Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC N T/R

内部编号

277-NTMS10P02R2G

生产厂商

on semiconductor

onsemi

#1

数量:3880
10+¥9.0155
20+¥8.854
50+¥8.6165
100+¥8.36
200+¥8.2745
最小起订量:10
英国伦敦
当天发货,5-8个工作日送达.
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#2

数量:4880
10+¥9.0155
20+¥8.854
50+¥8.6165
100+¥8.36
500+¥8.2745
最小起订量:10
英国伦敦
当天发货,5-8个工作日送达.
立即询价

#3

数量:4006
1+¥10.3933
10+¥8.889
100+¥6.7693
500+¥6.0377
1000+¥4.7659
2500+¥4.212
5000+¥4.13
10000+¥4.0548
最小起订量:1
美国加州
当天发货,1-3个工作日送达.
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

NTMS10P02R2G产品详细规格

规格书 NTMS10P02R2G datasheet 规格书
NTMS10P02R2G datasheet 规格书
NTMS10P02R2
文档 Multiple Devices Copper Wire 20/Aug/2008
Rohs Lead free / RoHS Compliant
产品更改通知 Wire Change 20/Aug/2008
标准包装 2,500
FET 型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 20V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 8.8A
Rds(最大)@ ID,VGS 14 mOhm @ 10A, 4.5V
VGS(TH)(最大)@ Id 1.2V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 70nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)@ Vds的 3640pF @ 16V
功率 - 最大 1.6W
安装类型 Surface Mount
包/盒 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
供应商器件封装 8-SOICN
包装材料 Tape & Reel (TR)
associated 80-4-5

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